多孔Si3N4高温有氧环境下介电性能试验研究

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多孔Si3N4高温有氧环境下介电性能试验研究

更新时间：2025-10-30

- 多孔Si3N4高温有氧环境下介电性能试验研究
- Aeronautical Manufacturing Technology Vol. 56, Issue 23/24, (2013)
- 作者机构：
  
  航天材料及工艺研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC：
- Published：2013
- 稿件说明：
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陈聪慧，何凤梅，李琦，杨景兴，胡子君，黄娜. 多孔Si3N4高温有氧环境下介电性能试验研究[J]. 航空制造技术, 2013, 56(23/24): 150-153.

[J]. Aeronautical Manufacturing Technology, 2013, 56(23/24).
陈聪慧，何凤梅，李琦，杨景兴，胡子君，黄娜. 多孔Si3N4高温有氧环境下介电性能试验研究[J]. 航空制造技术, 2013, 56(23/24): 150-153. DOI：

[J]. Aeronautical Manufacturing Technology, 2013, 56(23/24). DOI：

摘要

提出高温有氧环境下介电性能测试方案，并对多孔Si3N4材料进行了7~18GHz高温有氧介电性能测试，得到了相应的随温度和频率变化数据及曲线。结果表明测试方案有效可行，测试结果可见，在7~18GHz频段，测试频率对多孔 Si3N4材料的介电性能测试结果无明显影响。同时，在升温过程中，介电常数逐渐增加，增幅不大；损耗角正切增加较快，这与高温电子电导损耗及杂质离子电导损耗增大有关。

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