泡沫碳化硅中碳化硅纳米线的原位生长及结构表征*

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泡沫碳化硅中碳化硅纳米线的原位生长及结构表征*

更新时间：2025-10-30

- 泡沫碳化硅中碳化硅纳米线的原位生长及结构表征*
- Aeronautical Manufacturing Technology Vol. 57, Issue 6, Pages: 126-128(2014)
- 作者机构：
  
  国防科学技术大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室
- 作者简介：
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  CLC：
- Published：2014
- 稿件说明：
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高世涛，余金山，周新贵，张长瑞. 泡沫碳化硅中碳化硅纳米线的原位生长及结构表征*[J]. 航空制造技术, 2014, 57(6): 126-128.

[J]. Aeronautical Manufacturing Technology, 2014, 57(6): 126-128.
高世涛，余金山，周新贵，张长瑞. 泡沫碳化硅中碳化硅纳米线的原位生长及结构表征*[J]. 航空制造技术, 2014, 57(6): 126-128. DOI：

[J]. Aeronautical Manufacturing Technology, 2014, 57(6): 126-128. DOI：

摘要

利用蛋白质发泡法制备泡沫SiC陶瓷，以聚碳硅烷（PCS）为先驱体，采用化学气相沉积（CVD）工艺在泡沫SiC中原位生长出大量SiC纳米线。使用X射线衍射仪，扫描电子显微镜和透射电子显微镜对纳米线的物相组成和微观形貌进行表征。结果表明，纳米线直径为100~200nm，长度达到数百微米，均匀分布在泡沫SiC的气孔中，纳米线由沿1 1 1方向生长的β-SiC晶体组成，在纳米线顶端未发现球状催化剂存在，表明其生长机理主要为气-固（VS）生长机理。

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