采用三维打印（3DP）技术成型Si3N4多孔陶瓷并结合化学气相渗透（CVI）SiC制备了Si3N4-SiC复相陶瓷。研究了烧结工艺对3DP Si3N4陶瓷线收缩率和孔隙率的影响。结果表明，3DP Si3N4坯体经热解除碳后再烧结，可以获得较小的线收缩率（＜6%）及较大的气孔率（77.5%）。对其进行CVI SiC近尺寸强化，研究了Si3N4-SiC复相陶瓷的抗弯强度随SiC体积分数的变化规律。