基于聚碳硅烷裂解度场的PIP工艺控制方案

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基于聚碳硅烷裂解度场的PIP工艺控制方案

更新时间：2025-10-30

- 基于聚碳硅烷裂解度场的PIP工艺控制方案
- Aeronautical Manufacturing Technology Vol. 57, Issue 6, Pages: 72-74(2014)
- 作者机构：
  
  中航工业复合材料技术中心先进复合材料国防科技重点实验室
- 作者简介：
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- DOI：
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- Published：2014
- 稿件说明：
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王宇，焦健，邱海鹏. 基于聚碳硅烷裂解度场的PIP工艺控制方案[J]. 航空制造技术, 2014, 57(6): 72-74.

[J]. Aeronautical Manufacturing Technology, 2014, 57(6): 72-74.
王宇，焦健，邱海鹏. 基于聚碳硅烷裂解度场的PIP工艺控制方案[J]. 航空制造技术, 2014, 57(6): 72-74. DOI：

[J]. Aeronautical Manufacturing Technology, 2014, 57(6): 72-74. DOI：

摘要

以聚碳硅烷为前驱体采用PIP工艺制造陶瓷基复合材料构件，在裂解炉升温过程中，由于炉内温度场空间分布上存在的差异，以及炉内不同区域的实际升温过程相对于控温程序的滞后性，导致了裂解场分布不均匀。以聚碳硅烷热裂解动力学为基础，通过温度场与裂解度场的对应关系，阐述裂解度场的计算过程，并提出应用裂解度场的PIP工艺质量一致性控制方案。

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